Samsung wprowadza UFS 5.0: Pamięć flash przyszłości dla AI i XR z rekordową prędkością 10,8 GB/s!

Samsung Electronics ogłosił opracowanie UFS 5.0 — pierwszej w branży pamięci flash nowego standardu. Mobilna pamięć następnej generacji została opracowana z myślą o wymogach wbudowanych systemów AI i pracy z dużymi modelami językowymi (LLM). Nowa pamięć jest przeznaczona do wykorzystania w flagowych smartfonach, urządzeniach rzeczywistości rozszerzonej i mieszanej (XR), a także w gadżetach noszonych z wbudowaną sztuczną inteligencją.

Producent deklaruje, że przepustowość interfejsu odpowiadającego nowemu standardowi JEDEC osiąga 10,8 GB/s. Prędkość sekwencyjnego odczytu wynosi do 10,8 GB/s, a sekwencyjnego zapisu — do 9,5 GB/s, co ponad dwukrotnie przewyższa wyniki poprzedniego standardu UFS 4.1. Maksymalna pojemność magazynów wyniesie 1 TB.

Zużycie energii UFS 5.0 zmniejszono o ponad 40% w porównaniu do UFS 4.1. Udało się to osiągnąć dzięki wdrożeniu technologii prowadzenia bramki sygnału zegarowego oraz wielopoziomowego zasilania.

Wymiary układu wynoszą 7,5 x 13 x 0,9 mm — to o 16,7% mniej niż poprzednia generacja, co pozwala na bardziej efektywne wykorzystanie wewnętrznej przestrzeni urządzeń.

Masowa produkcja UFS 5.0 rozpocznie się w czwartym kwartale 2026 roku.

Źródło: Samsung Newsroom