Samsung prezentuje rewolucyjny 900-warstwowy chip V-NAND: Przełom dla AI i centrów danych!

Firma Samsung stworzyła prototyp pierwszego na świecie 900-warstwowego chipa pamięci flash V-NAND. Rozwój pojawił się na tle rosnącego popytu na pamięć dla serwerów sztucznej inteligencji i centrów danych. O tym informuje ETNews.

Co wiadomo

Z informacji źródłowych wynika, że Samsung wykorzystał technologię Cell Multi-Bonding (CMB), która umożliwia połączenie dwóch 450-warstwowych modułów pamięci w jeden chip. Takie podejście pozwala zwiększyć gęstość przechowywania danych i zmniejszyć zużycie energii.

Jednym z głównych konkurentów Samsunga w segmencie pamięci NAND wielowarstwowej pozostaje SK Hynix, który już produkuje 321-warstwowe chipy NAND. Jednocześnie Samsung przygotowuje do masowej produkcji pamięć NAND dziesiątej generacji z ponad 400 warstwami, podczas gdy 900-warstwowy chip znajduje się obecnie na etapie badań.

Podczas opracowywania firma ulepszyła również struktury Bitline i Wordline, co pozwoliło zmniejszyć rozmiar chipów i ograniczyć zużycie energii. Ponadto Samsung informuje o rozwiązaniu problemów technicznych związanych z deformacją płyt i przesunięciem warstw podczas pionowego układania.

Analitycy zauważają, że Samsung przyspieszył opracowywanie nowej pamięci z powodu aktywnego rozwoju chińskiego YMTC, który już produkuje 294-warstwowe chipy NAND i szybko zmniejsza różnicę względem światowych liderów rynku.

Źródło: ETNews